אינטל תשלב את טכנולוגיית GaN בייצור המעבדים שלה

טכנולוגיית GaN (גליום ניטריד) מאפשרת ליצור מוליכים למחצה, ואחת מתכונותיה היא האפשרות להקטין באופן משמעותי רכיבי הספק, ובמקביל לשמור על יעילות אנרגטית ברמה גבוהה. עד עתה מצאו את הטכנולוגיה הזו בעיקר במטענים של מכשירים, נייחים וניידים כאחד, אבל עכשיו היא נמצאת בדרך להשתלב בפס הייצור של המעבדים של אינטל.

ענף הייצור של החברה חשף באחרונה פרטים על טכנולוגיית צ'יפלט, המבוססת על GaN, שפותחה על פרוסות סיליקון בקוטר של 300 מ"מ – שהוא תהליך הייצור התעשייתי הסטנדרטי. על פי אינטל, מדובר בפלטפורמה שכבר מוכנה לשימוש תעשייתי.

באינטל מספרים שהחברה החלה לחקור את השימוש ב-GaN משום שטכנולוגיות הסיליקון המסורתיות מתקרבות למגבלות הפיזיקליות שלהן, עקב היותו חומר שמפסיק לתפקד באופן אמין בטמפרטורות מעל 150 מעלות צלזיוס, ובקצבי מיתוג גבוהים הוא מאבד אנרגיה רבה. לעומת זאת, טכנולוגיית ה-GaN מציעה צפיפות הספק גבוהה יותר, עם עמידות בטמפרטורות גבוהות בהרבה, כמו גם עם פחות אובדן אנרגיה. זאת, לצד היכולת לתפקד היטב בתדרים מעל 200 גיגה-הרץ. מאפיינים אלה, לפי החברה, מתאימים מאוד ליצירת מודמים לרשתות 5G ו-6G – ויש כיום מודם כזה בכל מעבד.

במחקר לקראת הייצור הצליחו מהנדסי אינטל לייצר שכבת GaN בעובי של 19 מיקרו-מטר, שזה כחמישית מעובי של שערת אדם, ועם זאת לספק את כל היכולות לתקשורת אלחוטית מהדור הבא.

היישומים האפשריים שמסמנים בחברה עבור השימוש בשכבות GaN, שכאמור מוטמעות בפרסות 300 מ"מ סטנדרטיות, הם בעיקר וסתי מתח קטנים אבל יעילים יותר לשימוש במרכזי נתונים ותחנות בסיס שעובדות עם תדרי תקשורת מתקדמים.